首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > BD539D

BD539D

厂家：
  Bourns
封装：
 TO-220
数量：
 702  
说明：
 两极晶体管 - BJT 45W NPN Silicon
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

BD539D PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：50
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：45000 mW
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
最大直流电集电极电流：5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：120 V
集电极—基极电压 VCBO：120 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Bourns

以上是BD539D的详细信息，包括BD539D厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • TDTA123J,LM
  • RN1314,LF
  • TDTC143E,LM
  • TDTC144E,LM
  • TDTA143E,LM
  • RN1313,LF
  • TDTA144E,LM
  • TDTA114E,LM
  • TDTA143Z,LM
  • TDTC114Y,LM

    • 相近型号推荐

    • BD539-S图片

      BD539-S

      两极晶体管 - BJT 60V 5A NPN

    • 暂无电子元件图

      BD540

      两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon

    • 暂无电子元件图

      BD540A

      两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon

    • 暂无电子元件图

      BD540B

      两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon

    • 暂无电子元件图

      BD540C

      两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon

    • 暂无电子元件图

      BD540-S

      两极晶体管 - BJT 40V 5A PNP

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC