BD536J

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 6219
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

一、本商品被浏览0次.

BD536J PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：200
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：50 W
集电极连续电流：- 8 A
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
增益带宽产品fT：12 MHz
最大直流电集电极电流：8 A
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BD536J的详细信息，包括BD536J厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：