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BD442STU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-126
数量：
 1449  
说明：
 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BD442STU PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BD442STU_NL
工厂包装数量：60
包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：36 W
集电极连续电流：- 4 A
封装形式：TO-126
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
增益带宽产品fT：3 MHz
最大直流电集电极电流：4 A
集电极—射极饱和电压：- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 80 V
集电极—基极电压 VCBO：- 80 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BD442STU的详细信息，包括BD442STU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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