BD241TU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220
数量:
 495  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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BD241TU-TO-220图片

BD241TU PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
包装形式:Tube
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:40 W
集电极连续电流:3 A
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:10
最大直流电集电极电流:3 A
集电极—射极饱和电压:45 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V
集电极—基极电压 VCBO:55 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BD241TU的详细信息,包括BD241TU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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