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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
包装形式:Tube
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:1250 mW
封装形式:SOT-32
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at 150 mA at 2 V
最大直流电集电极电流:1.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
集电极—基极电压 VCBO:80 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:STMicroelectronics
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