BD1386STU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-126
数量：: 8352
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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BD1386STU PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：60
包装形式：Tube
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：12.5 W
直流电流增益 hFE 最大值：250
集电极连续电流：- 1.5 A
封装形式：TO-126
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
最大直流电集电极电流：1.5 A
集电极—射极饱和电压：- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 60 V
集电极—基极电压 VCBO：- 60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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