首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > BCW66G_D87Z

BCW66G_D87Z

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23-3
数量：: 6291
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

一、本商品被浏览0次.

BCW66G_D87Z PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：10000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
直流电流增益 hFE 最大值：400
集电极连续电流：1 A
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：160
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
集电极—射极饱和电压：45 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
集电极—基极电压 VCBO：75 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BCW66G_D87Z的详细信息，包括BCW66G_D87Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：