BCW30_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 6336
说明：: 两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP

一、本商品被浏览0次.

BCW30_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
集电极连续电流：- 0.5 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：215 at 2 mA at 5 V
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：- 32 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 32 V
集电极—基极电压 VCBO：- 32 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BCW30_Q的详细信息，包括BCW30_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：