BCR 512 B6327

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-SOT23
数量:
 3645  
说明:
 TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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BCR 512 B6327 PDF参数资料

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中文参数如下:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7K
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):4.7K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 50mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:100MHz
功率 - 最大:330mW
安装类型:表面贴装

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