BCR 191L3 E6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TSLP-3-4
数量：: 4995
说明：: TRANSISTOR PNP DGTL AF TSLP-3

一、本商品被浏览0次.

BCR 191L3 E6327 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）22K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）22K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)50 @ 5mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）-
频率 - 转换200MHz
功率 - 最大250mW
安装类型表面贴装

以上是BCR 191L3 E6327的详细信息，包括BCR 191L3 E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：