BCP 56-10 E6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-223-4
数量：: 468
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

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BCP 56-10 E6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BCP5610E6327HTSA1 BCP5610E6327XT SP000010712
工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：2000 mW
集电极连续电流：1 A
封装形式：SOT-223-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：25 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 25 at 500 mA at 2 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：100 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Infineon

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