BCM856BS,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SC-88
数量：: 5137
说明：: 两极晶体管 - BJT COMPLEX DISCRETE S2022D/SOT45

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BCM856BS,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
集电极连续电流：- 100 mA
封装形式：SC-88
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：290
增益带宽产品fT：175 MHz
最大直流电集电极电流：- 200 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 65 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：NXP

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