BC856BDW1T3

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-363
数量：: 6894
说明：: 两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V

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BC856BDW1T3 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：10000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：380 mW
集电极连续电流：- 100 mAdc
封装形式：SOT-363
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：150 at 10 uA at 5 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
集电极—射极饱和电压：- 65 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 65 V
集电极—基极电压 VCBO：- 80 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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