BC849CLT3

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 SOT-23-3
数量:
 6543  
说明:
 两极晶体管 - BJT 100mA 30V NPN
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BC849CLT3 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:10000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:225 mW
集电极连续电流:0.1 A
封装形式:SOT-23-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:420 at 2 mA at 5 V
增益带宽产品fT:100 MHz
最大直流电集电极电流:0.1 A
集电极—射极饱和电压:30 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
集电极—基极电压 VCBO:30 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是BC849CLT3的详细信息,包括BC849CLT3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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