中文参数如下:
最大功率耗散:330 mW
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:250 at 100 mA at 1 V
增益带宽产品fT:170 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流:0.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V
集电极—基极电压 VCBO:50 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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