BC636TFR

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92-3 Kinked Lead
数量:
 4410  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BC636TFR PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:1 W
直流电流增益 hFE 最大值:250
集电极连续电流:- 1 A
封装形式:TO-92-3 Kinked Lead
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:40
增益带宽产品fT:100 MHz
最大直流电集电极电流:1 A
集电极—射极饱和电压:- 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V
集电极—基极电压 VCBO:- 45 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BC636TFR的详细信息,包括BC636TFR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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