BC556BTAR

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92-3 Kinked Lead
数量：: 3069
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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BC556BTAR PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Ammo
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：0.5 W
直流电流增益 hFE 最大值：800
集电极连续电流：- 0.1 A
封装形式：TO-92-3 Kinked Lead
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：110
增益带宽产品fT：150 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
集电极—射极饱和电压：- 65 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 65 V
集电极—基极电压 VCBO：- 80 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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