BC546BRL1

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-92-3 (TO-226)
数量:
 3150  
说明:
 两极晶体管 - BJT 100mA 80V NPN
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BC546BRL1-TO-92-3 (TO-226)图片

BC546BRL1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:2000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
集电极连续电流:0.1 A
封装形式:TO-92-3 (TO-226)
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 2 mA at 5 V
增益带宽产品fT:300 MHz
最大直流电集电极电流:0.1 A
集电极—射极饱和电压:65 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:65 V
集电极—基极电压 VCBO:80 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是BC546BRL1的详细信息,包括BC546BRL1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • BC546BTA图片

    BC546BTA

    两极晶体管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/450

  • BC546BTAR图片

    BC546BTAR

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • BC546BTF图片

    BC546BTF

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • BC546BTFR图片

    BC546BTFR

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • BC546BU图片

    BC546BU

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • BC546CBU图片

    BC546CBU

    两极晶体管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/800

  • BC546CTA图片

    BC546CTA

    两极晶体管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/800

  • BC546TA图片

    BC546TA

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC