首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > BC33725_D11Z

BC33725_D11Z

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-92
数量：
 2619  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN 45V 800mA HFE/400
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BC33725_D11Z-TO-92图片

BC33725_D11Z PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

包装形式：Reel
最大功率耗散：625 mW
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：160 at 100 mA at 1 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：0.8 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BC33725_D11Z的详细信息，包括BC33725_D11Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • BCR148E6433HTMA1
  • ADTC144WCAQ-7
  • ADTC143ZCAQ-7
  • ADTC143TCAQ-7
  • ADTC114ECAQ-7
  • ADTA114ECAQ-7
  • DTC015TUBTL
  • DTA015TUBTL
  • DTA015EUBTL
  • DTA023EUBTL

    • 相近型号推荐

    • BC33725_Q图片

      BC33725_Q

      两极晶体管 - BJT NPN 45V 800mA HFE/4

    • BC33725BU图片

      BC33725BU

      两极晶体管 - BJT NPN 45V 800mA HFE/400

    • BC33725TA图片

      BC33725TA

      两极晶体管 - BJT NPN 45V 800mA HFE/400

    • BC33725TAR图片

      BC33725TAR

      两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

    • BC33725TF图片

      BC33725TF

      两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

    • BC33725TFR图片

      BC33725TFR

      两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC