中文参数如下:
工厂包装数量:500
包装形式:Bulk
最大功率耗散:650 mW
封装形式:TO-39
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:110 at 100 uA at 1 V
增益带宽产品fT:50 MHz
最大直流电集电极电流:1 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics
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