BAS16-HE3-18

厂家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装：: SOT-23-3
数量：: 5760
说明：: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3

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BAS16-HE3-18 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：SOT-23-3
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：4pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：1 μA @ 75 V
反向恢复时间 (trr)：6 ns
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 150 mA
电流 - 平均整流 (Io)：150mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：75 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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