首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > AS6C2008-55TINTR

AS6C2008-55TINTR

厂家：
  Alliance Memory
封装：
 32-TSOP I
数量：
 4815  
说明：
 静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
AS6C2008-55TINTR-32-TSOP I图片

AS6C2008-55TINTR PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：1500
RoHS：是
制造商：Alliance Memory

以上是AS6C2008-55TINTR的详细信息，包括AS6C2008-55TINTR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • W25Q64JVSFAQ
  • W25Q64JVSSAQ
  • 24FC08T-E/Q6B36KVAO
  • 24FC04T-E/ST36KVAO
  • 24FC02T-E/SN36KVAO
  • 24FC02-E/SN36KVAO
  • 24FC02T-E/OT36KVAO
  • 24FC08T-E/SN36KVAO
  • 24FC01T-E/Q6B36KVAO
  • 24FC04T-E/OT36KVAO

    • 相近型号推荐

    • AS6C2008A-55SIN图片

      AS6C2008A-55SIN

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

    • AS6C2008A-55SINTR图片

      AS6C2008A-55SINTR

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

    • AS6C2008A-55STIN图片

      AS6C2008A-55STIN

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

    • AS6C2008A-55STINTR图片

      AS6C2008A-55STINTR

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

    • AS6C2008A-55TIN图片

      AS6C2008A-55TIN

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

    • AS6C2008A-55TINTR图片

      AS6C2008A-55TINTR

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

    • AS6C2016-55BIN图片

      AS6C2016-55BIN

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

    • AS6C2016-55BINTR图片

      AS6C2016-55BINTR

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

    • AS6C2016-55ZIN图片

      AS6C2016-55ZIN

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

    • AS6C2016-55ZINTR图片

      AS6C2016-55ZINTR

      静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

    • AS6C3216-55TIN图片

      AS6C3216-55TIN

      静态随机存取存储器 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

    • AS6C3216-55TINTR图片

      AS6C3216-55TINTR

      静态随机存取存储器 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC