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中文参数如下:
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封装封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:375W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2788pF @ 1000V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):161nC @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 15mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):34 毫欧 @ 50A,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):74A(Tc)
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:6 N-沟道(3 相桥)
技术:碳化硅(SiC)
产品状态:在售
包装:-
系列:散装
品牌:Microchip Technology
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