点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
:
封装封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:750W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5576pF @ 1000V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):332nC @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 30mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 100A,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):147A(Tc)
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:4 个 N 通道
技术:碳化硅(SiC)
产品状态:在售
包装:-
系列:散装
品牌:Microchip Technology
以上是APTMC120HM17CT3AG的详细信息,包括APTMC120HM17CT3AG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!