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APTGT100DA120D1G

厂家：
  Microsemi Corporation
封装：
 D1
数量：
 7479  
说明：
 IGBT 1200V 150A 520W D1
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APTGT100DA120D1G PDF参数资料

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中文参数如下：
电压 - 集电极发射极击穿（最大）1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）2.1V @ 15V, 100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）150A
功率 - 最大520W
输入类型标准型
安装类型底座安装

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