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APTGF50DH120TG

厂家：
  Microsemi Corporation
封装：
 SP4
数量：
 6984  
说明：
 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4
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中文参数如下：
电压 - 集电极发射极击穿（最大）1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）3.7V @ 15V, 50A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）75A
电流 - 集电极截止（最大）250µA
Vce 时的输入电容 (Cies)3.45nF @ 25V
功率 - 最大312W
输入标准型
配置非对称桥
NTC 热敏电阻是
安装类型底座安装

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