APTGF50DH120TG

厂家:
  Microsemi Corporation
封装:
 SP4
数量:
 6984  
说明:
 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4
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中文参数如下:
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开)3.7V @ 15V, 50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
电流 - 集电极截止(最大)250µA
Vce 时的输入电容 (Cies)3.45nF @ 25V
功率 - 最大312W
输入标准型
配置非对称桥
NTC 热敏电阻是
安装类型底座安装

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