APTGF30H60T1G

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 SP1
数量:
 6804  
说明:
 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
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APTGF30H60T1G PDF参数资料

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中文参数如下:
电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)2.45V @ 15V, 30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)42A
电流 - 集电极截止(最大)250µA
Vce 时的输入电容 (Cies)1.35nF @ 25V
功率 - 最大140W
输入标准型
配置全桥反相器
NTC 热敏电阻是
安装类型底座安装

以上是APTGF30H60T1G的详细信息,包括APTGF30H60T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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