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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):19 ns
测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:16ns/122ns
栅极电荷:102 nC
输入类型:标准
开关能量:307μJ(开),254μJ(关)
功率 - 最大值:290 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):109 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):65 A
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
IGBT 类型:PT
产品状态:在售
包装:POWER MOS 8?
系列:管件
品牌:Microchip Technology
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