APT35GN120SG/TR

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 TO-268-2
数量:
 7494  
说明:
 IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
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APT35GN120SG/TR PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):-
测试条件:800V,35A,2.2 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:24ns/300ns
栅极电荷:220 nC
输入类型:标准
开关能量:-,2.315mJ(关)
功率 - 最大值:379 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,35A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):105 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):84 A
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Microchip Technology

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