APT10SCD65KCT

厂家:
  Microsemi Corporation
封装:
 TO-220
数量:
 5904  
说明:
 DIODE SILICON 650V 17A TO220
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APT10SCD65KCT PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
安装类型:通孔
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr):0 ns
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.8 V @ 10 A
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):17A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
二极管配置:1 对共阴极
产品状态:停产
包装:-
系列:散装
品牌:Microsemi Corporation

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