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中文参数如下:
波长:940 nm
类型:Right Angle Phototransistor
上升时间:15 us
产品:Phototransistors
包装形式:Reel
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
下降时间:15 us
集电极—射极饱和电压:0.8 V
集电极—射极击穿电压:30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
封装形式:3 mm x 2 mm x 1 mm
最大功率耗散:100 mW
RoHS:是
产品种类:光电晶体管
制造商:Kingbright
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