中文参数如下:
工厂包装数量:22
包装形式:Tube
最大功率耗散:786000 mW
封装形式:Case M259
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:10
增益带宽产品fT:1.4 GHz
最大直流电集电极电流:21 A
发射极 - 基极电压 VEBO:3.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
集电极—基极电压 VCBO:70 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:STMicroelectronics
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