ACT108-600E,126

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-92-3
数量：: 16705
说明：: 双向可控硅 TVS THYRISTOR 650V

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ACT108-600E,126 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Ammo
最小工作温度：- 40 C
封装形式：TO-92-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 125 C
栅触发电流 (Igt)：10 mA
栅触发电压 (Vgt)：1 V
保持电流（Ih 最大值）：25 mA
开启状态电压：1.3 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.2 mA
额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V
不重复通态电流：8.8 A
开启状态 RMS 电流 (It RMS)：0.8 A
RoHS：是
制造商：NXP

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