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中文参数如下:
输出设备:Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最小正向二极管电压:1.4 V
最大连续输出电流:8 mA
绝缘电压:5000 Vrms
包装形式:Tube
封装形式:SO-8
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
最大功率耗散:30 mW
最大输入二极管电流:20 mA
最大反向二极管电压:5 V
最大正向二极管电压:1.7 V
RoHS:是
产品种类:高速光耦合器
制造商:Avago Technologies
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