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A1N5404G-G

厂家：
  Comchip Technology
封装：
 DO-27
数量：
 6638  
说明：
 DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
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A1N5404G-G PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：DO-27
封装/外壳：DO-201AA，DO-27，轴向
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：50pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 400 V
反向恢复时间 (trr)：-
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 3 A
电流 - 平均整流 (Io)：3A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：剪切带（CT）,带盒（TB）
品牌：Comchip Technology

以上是A1N5404G-G的详细信息，包括A1N5404G-G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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