7B-30.000MAAJ-T

7B-30.000MEEQ-T

晶体 30.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF

7B30000080

7B-32.000MAAJ-T

晶体 32.000MHz 30ppm -20 +70C 18pF

7B-32.000MEEQ-T

晶体 32.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF

7B35-01-2

MODULE ISOL PROCESS I-IN NON-LIN

7B-36.000MAAJ-T

晶体 36.000MHz 30ppm -20 +70C 18pF

7B-36.000MEEQ-T

晶体 36.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF

7B-37.500MEEE-T

晶体 37.5MHz 10ppm -2 0 t o 70 C 10pF

7B-40.000MAAJ-T

晶体 40.000MHz 30ppm -20 +70C 18pF

7B-40.000MEEQ-T

晶体 40.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF

7B-48.000MAAJ-T

晶体 48.000MHz 30ppm -20 +70C 18pF

7B-48.000MEEQ-T

晶体 48.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF