点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:1000
上升时间:1.5 us
输出设备:Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
绝缘电压:2500 Vrms
输入类型:DC
下降时间:1.5 us
包装形式:Bulk
封装形式:SMD-8
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 70 C
最大功率耗散:100 mW
最大输入二极管电流:25 mA
最大反向二极管电压:5 V
最大正向二极管电压:1.7 V
最大波特率:1 MBps
电流传递比:18 %
RoHS:是
产品种类:高速光耦合器
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是6N135SV的详细信息,包括6N135SV厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!