首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > 55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 3-CP
数量：
 8469  
说明：
 射频双极电源晶体管 SWITCHING DEVICE
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
55GN01CA-TB-E-3-CP图片

55GN01CA-TB-E PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

晶体管极性：NPN
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：+ 25 C
最大工作温度：+ 150 C
增益带宽产品fT：4.5 GHz
包装形式：Reel
封装形式：CP
功率耗散：200 mW
最大直流电集电极电流：70 mA
集电极连续电流：5 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V
最大工作频率：5.5 GHz
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是55GN01CA-TB-E的详细信息，包括55GN01CA-TB-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTA144EU3HZGT106
  • DTA143EU3HZGT106
  • DTB114ECT116
  • DTB143ECT116
  • DTD123TCT116
  • DTD114ECT116
  • DTD113ECT116
  • DTC144WCAT116
  • DTC144VCAT116
  • PDTD114ETR

    • 相近型号推荐

    • 55H01图片

      55H01

      CAP TRIMMER 1.5-19PF 1000V TH

    • 暂无电子元件图

      55H02

      CAP TRIM 1.5-19PF 1000V PNL MNT

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC