4N25GV

厂家：: Vishay Semiconductors
封装：: PDIP-6
数量：: 4824
说明：: 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >20%

一、本商品被浏览0次.

4N25GV PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
输出类型：DC
输出设备：NPN Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
最大反向二极管电压：5 V
最大输入二极管电流：60 mA
包装形式：Tube
封装形式：PDIP-6
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 100 C
最大功率耗散：250 mW
最大集电极电流：50 mA
最大正向二极管电压：1.4 V
电流传递比：100 %
绝缘电压：5000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V
最大集电极/发射极电压：32 V
输入类型：DC
RoHS：是
产品种类：晶体管输出光电耦合器
制造商：Vishay

以上是4N25GV的详细信息，包括4N25GV厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他光耦合器/光电耦合器产品：

光隔离放大器高线性光耦合器三极与 SCR 输出光电耦合器光电二极管输出光电耦合器高速光耦合器