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2SK879-GR(TE85L,F)

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: USM
数量：: 7124
说明：: JFET N-CH USM

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2SK879-GR(TE85L,F) PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：USM
封装/外壳：SC-70，SOT-323
安装类型：表面贴装型
工作温度：125°C（TJ）
功率 - 最大值：100 mW
电阻 - RDS(On)：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8.2pF @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：400 mV @ 100 nA
漏极电流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2.6 mA @ 10 V
漏源电压（Vdss）：-
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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