2SK4210

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中文参数如下：

功率耗散：2.5 W
包装形式：Tray
封装形式：TO-3PB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.3 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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