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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:80 ns
工厂包装数量:8000
上升时间:35 ns
功率耗散:150 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:35 ns
包装形式:Reel
封装形式:VMT-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):7 Ohms
漏极连续电流:100 mA
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
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