2SK221100L

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：87pF @ 10V
功率 - 最大：1W
安装类型：表面贴装

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