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中文参数如下:
系列:2SK170
功率耗散:400 mW
最大工作温度:+ 125 C
最大漏极/栅极电压:- 40 V
输入电容:30 pF
闸/源截止电压:- 0.2 V
包装形式:Tube
封装形式:TC-92
安装风格:Through Hole
配置:Single
漏极连续电流:1 mA
漏源电压 VDS:10 V
漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):2.6 mA
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:JFET
制造商:Toshiba
以上是2SK170-GR(F)的详细信息,包括2SK170-GR(F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!