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中文参数如下:
工厂包装数量:10000
最大功率耗散:50 mW
直流电流增益 hFE 最大值:400
集电极连续电流:100 mA
封装形式:FSM
安装风格:SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min:120
增益带宽产品fT:60 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba
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