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2SC5949-O(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3P
数量：
 3989  
说明：
 两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A
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2SC5949-O(Q)-TO-3P图片

2SC5949-O(Q) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：100
包装形式：Bulk
最大功率耗散：220 W
直流电流增益 hFE 最大值：160
集电极连续电流：15 A
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：55
增益带宽产品fT：30 MHz
最大直流电集电极电流：15 A
集电极—射极饱和电压：200 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V
集电极—基极电压 VCBO：200 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SC5949-O(Q)的详细信息，包括2SC5949-O(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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