2SC5415AF-TD-E

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 PCP
数量:
 1467  
说明:
 两极晶体管 - BJT
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2SC5415AF-TD-E PDF参数资料

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中文参数如下:

包装形式:Reel
最大功率耗散:800 mW
集电极连续电流:100 mA
封装形式:SOT-89
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:70 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V
晶体管极性:NPN
制造商:ON Semiconductor

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