2SC5171(Q,M)

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Tube
最大功率耗散：20000 mW
封装形式：TO-220 NIS
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：200 MHz
最大直流电集电极电流：2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：180 V
集电极—基极电压 VCBO：180 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SC5171(Q,M)的详细信息，包括2SC5171(Q,M)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

DTC044TUBTL

DTA043TUBTL

DTC123YCA-HF

DTA123YCA-HF

DTA143XCA-HF

DTC114WCA-HF

DTC113ZCA-HF

DTC143XCA-HF

DTC114YCA-HF

DTA114YCA-HF