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中文参数如下:
工厂包装数量:10000
最大功率耗散:100 mW
直流电流增益 hFE 最大值:240
集电极连续电流:150 mA
封装形式:VESM
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:120
增益带宽产品fT:80 MHz (Min)
最大直流电集电极电流:0.15 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba
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