中文参数如下：
工厂包装数量：100
最大功率耗散：1000 mW
封装形式：PW-MINI
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：160 at 100 mA at 1 V
增益带宽产品fT：120 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流：0.8 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
集电极—基极电压 VCBO：35 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba
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